Elmira Ceferova - Wikipedia

Elmira Cəfərova 1937-ci il iyun ayının 7-də Naxçıvan Muxtar Respublikası Naxçıvan şəhərində ziyalı ailəsində anadan olub. O, 1961-ci ildə Moskva Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirib və təyinatla AMEA Fizika İnstitutuna göndərilib. Burada görkəmli alim, akademik H. M. Abdullayevin rəhbərlik etdiyi yarımkeçiricilər laboratoriyasında elmi işçi kimi əmək fəaliyyətinə başlayıb. O, 1968-ci ildə "Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası" ixtisası üzrə "Diffuziya yolu ilə alınmış n- və p- bazalı silisium diodlarının reaktiv xassələrinin tədqiqi" mövzusunda namizədlik dissertasiyasını müdafiə edib. Elmira Cəfərova 1969-cu ildə yeni yaradılmış "Heteroquruluşlar fizikası" laboratoriyasında böyük elmi işçi, aparıcı elmi işçi vəzifələrində işləmiş və 2000-ci ildən hal-hazıradək həmin laboratoriyanın rəhbəri vəzifəsində çalışır. 2007-ci ildə isə "Dərin aşqar səviyyəli germanium, silisium və onlar əsasında çəpər quruluşlarda qeyri-stasionar elektron prosesləri" mövzusunda "Fiziki elektronika" ixtisası üzrə doktorluq dissertasiyasını müdafiə edib.

• Elmi əsərlərinin sayı-160
• Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı-70
• Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı -40
• Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı-10
• Elmi-pedaqoji fəaliyyəti — 1978–1990-cı illərdə Azərbaycan Texniki Universitetinin "Mikroelektronika" kafedrasında mühazirələr oxumuş və elektron texnikası mühəndisliyi üzrə mütəxəssislərin hazırlanmasında fəal iştirak etmişdir
• Dil bilikləri- rus, ingilis dilləri
• Əsas elmi nəticələri — Qeyri-stasionar tutum spektroskopiyası, fotokeçiricilik, fototutum və EPR metodlarından istifadə edərək germanium, silisium və onların əsasında yaradılan baryer quruluşlarda qeyr-stasionar elektron proseslərinin mexanizmləri araşdırılmış, keçid metalların (Ti, V, W, və Ni) Ge və Si-da yaratdığı dərin səviyyələrin əsas energetik parametrləri təyin edilmişdir. Al-SiO₂-Si-Me, In₂O₂-SiO₂-Si-Me quruluşları alınmış, onların elektrik, fotoelektrik, aşırma xarakteristikaları öyrənilmiş, rastrelektron mikroskopunda tədqiqatlar aparılmış, onlar əsasında aşırıcı və yaddaş elementləri yaradılmışdır. Moskva şəhərinin Dubna vilayətindəki Birləşmiş Nüvə Tədqiqatları İnstitutu ilə birgə Si əsasında yeni tipli foroqəbuledici detektorlar yaradılmış və onların əsas xassələri öyrənilmişdir. Hazırlanmış koordinat həssaslıqlı detektorlar tək-tək işıq kvantlarını yüksək effektivliklə qeyd etməyə qabildirlər. Selvari fotodiodlarda pikselləri yüksək sıxlığa malik olması (1,5•10⁴ piksel/mm²) geniş diapazonda fotocavabın xəttiliyini təmin edir və bu fotodiodlar nüvə fizikası sahəsində, tibb sahəsində pozitron-emissiya tomoqraflarında, elmi tətqiqatlarda tətbiq oluna bilər.

1. Investigation of p-n junctions n-Si obtained by electromigration of although a thin SiO₂ film, Sol. Stat. Communication 1984, V49, № 3, p.273.

2. Сечение фотоионизации уровней Ni в Si, ФТП, 1987, т.21, в.12, с.2237

3.Исследование влияние электронного облучения на структуру GaSe-SiO₂, ФТП,2002, т.36, № 7, с.858.

4. Влияние электроактивного Ni на свойства Si при низкотемпературном отжиге, Неорганические материалы, 2010, т.46, в.10, с.1163.

5. Features of barrier capacitance of micropixel avalance photodiodes at different frequency, Universal journal of Physics and Applications, 2016, 1–4, p.10.

6. The equivalent inductance silicon micropixel avalance photodiodes. JOSR of Engineering, 2017, V.7, № 5, p.50–53.

AMEA Fizika İnstitutu Elmi Şurasının üzvü

http://www.science.gov.az/forms/doktora-nauk-instituta-fiziki/835"